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鵬城半導體邀請您參加6月26-28日,SEMI-e 2024深圳國際半導體展齊聚深圳國際會展中心(寶安)

發布時間:

2024-06-17

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SEMl-e2024第六屆深圳國際半導體展將於6月26-28日在深圳國際會展中心(寶安)盛大開幕。 作為半導體領域頗具影響力和代表性的行業盛會,本屆展會將匯聚800多家展商集中展示芯片設計、晶圓製造與封裝、半導體專用設備與零部件、先進材料、第三代半導體/IGBT,汽車半導體為主的半導體產業鏈,構建半導體產業交流融合的新生態。

SEMl-e2024第六屆深圳國際半導體展將於6月26-28日在深圳國際會展中心(寶安)盛大開幕。 作為半導體領域頗具影響力和代表性的行業盛會,本屆展會將匯聚800多家展商集中展示芯片設計、晶圓製造與封裝、半導體專用設備與零部件、先進材料、第三代半導體/IGBT,汽車半導體為主的半導體產業鏈,構建半導體產業交流融合的新生態。
作為聚焦於微納材料(含半導體材料)、微納製造工藝、微納裝備的研發設計和生產製造的供應商-鵬城半導體技術(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導體),藉助SEMl-e2024這個展示創新技術產品及應用的平台,鵬城半導體將展出其精心研發的HFCVD熱絲化學氣相沉積系統解決方案、科研/生產型磁控濺射(PVD真空鍍膜)解決方案、分子束外延薄膜生長設備MBE、PECVD等離子體增強化學氣相沉積解決方案等。 熱切期待國內外嘉賓蒞臨深圳國際會展中心(寶安)4號館4B39展位,共同探索半導體行業發展新路徑,共謀行業新機遇,攜手書寫產業高質量發展的嶄新篇章。
HFCVD熱絲化學氣相沉積系統解決方案可用於微米晶、納米晶金剛石晶圓片生產,也可製造防腐耐磨硬質塗層、金剛石BDD電極、太陽能薄膜電池等。

自主研發生產的單/雙面鍍膜熱絲CVD金剛石設備(HFCVD)可製備金剛石多晶晶圓片襯底尺寸:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸。

金剛石薄膜生產線

應用領域:第三代半導體、大功率激光器、10G通訊、微納聲學、功放器件、濾波器件等;可用於力學級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產品的研發生產。
科研/生產型磁控濺射解決方案:真空條件下利用蒸發或濺射在基體表面沉積薄膜的技術,製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等,適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜,可鍍製磁性材料和非磁性材料。

將磁控濺射薄膜沉積技術,升級到薄膜外延技術,為國內首創。 該技術的突破,使設備有望在第三代半導體GaN和第四代半導體ga2O3的外延工藝方面得到應用。

多源大尺寸MBE設備解決方案可以在某些襯底上實現外延生長工藝,實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。 可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設備MBE在薄膜外延生長時具有超高的真空環境,是在理想的環境下進行薄膜外延生長,它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。

PECVD等離子體增強化學氣相沉積解決方案
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質量的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

國產產品應該是領先的(雙頻技術的)

6月26-28日,SEMl-e 2024第六屆深圳國際半導體展開啟在即,我們期待並熱忱邀請各位嘉賓蒞臨鵬城半導體展台,一同探索半導體設備、材料領域的創新成果,探討行業發展新技術、新產品、新趨勢,共同推動產業鏈的升階發展。

SEMI-e第六屆深圳國際半導體展
我們期待與您相見
6月26-28日
深圳國際會展中心(寶安新館)-4號館4B39
恭候蒞臨



交通指引:地鐵12號線/20號線國展站C1/C2出口達到展館南登錄大廳。
公司簡介:
鵬城半導體技術(深圳)有限公司,由哈爾濱工業大學(深圳)與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。 公司立足於市場前沿、產業前沿和技術前沿的交叉點,尋求創新引領與可持續發展,解決產業的痛點和國產化難題,爭取產業鏈的自主可控。
公司核心業務是微納材料(含半導體材料)、微納製造工藝、微納裝備的研發設計和生產製造。
科研型設備:PVD、CVD、MBE分子束外延等。
工業生產型設備:大型蒸鍍設備、多弧離子源鍍膜設備、矩形磁控濺射鍍膜設備、電子束蒸發設備、OLED鍍膜設備、HFCVD熱絲化學氣相沉積設備、真空高溫CVD爐、六英寸MBE生產設備。
公司技術和產品可以廣泛應用於:新材料、新能源、微電子光電子、半導體、聲學、光學、微機電系統(MEMS);傳感器、生物醫學、精準醫療、大健康、環保、微納機器人、表面技術等領域。
公司核心研發團隊知識結構完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊,還有來自工業界的高級裝備設計師團隊。 公司團隊具有20多年的微納材料與器件研究(含半導體材料)、PVD/CVD沉積技術研究、外延技術研究、薄膜製備成套裝備設計和生產製造的經驗。






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薄膜沉積設備

薄膜沉積設備分類：薄膜沉積是指在矽晶圓等基板上沉積待處理的薄膜材料，所沉積薄膜材料主要是二氧化矽、氮化矽、多晶矽等非金屬以及銅等金屬，沉積膜可為非晶質、多晶或單晶。

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鵬城半導體榮膺國家高新技術企業，引領納米與原子製造技術新征程

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半導體製造及先進封裝持續升溫

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鵬城半導體攜TGV/TSV/TMV技術亮相慕尼黑上海光博會

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