- 設計了中試型的全自動化監控的MOCVD,用於外延GaN和ZnO
- 設計製造了中國第一台完全自主知識產權的MBE(分子束外延設備),用於外延光電半導體材料
- 設計超高溫CVD 和MBE,用於4H晶型SiC外延生長
- 設計製造了光學級金剛石生長設備(採用熱激發技術和CVD技術)
- 設計製造了金剛石塗層製備設備,製備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜
- 優化Rheed設計,開始生產型MBE設計
- 開始研發PSD方法外延GaN的工藝和裝備
- 設計製造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備
- 鵬城半導體技術(深圳)有限公司成立
- 全資子公司 鵬城微納技術(瀋陽)有限公司成立;
-熱絲化學氣相沉積設備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機、分子束外延與磁控濺射聯用設備多套出貨
- 獲得ISO9001質量管理體系證書
- PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術攻關
- 科技型中小企業
- 創新型中小企業
- 獲20餘項知識產權專利
- 企業信用評價AAA級信用企業、ISO三體系認證
- 子公司 晶源半導體材料科技(瀋陽)有限公司成立
- 與軍工和和核工業客戶合作取得突破
- 鵬城微納技術(瀋陽)有限公司子公司擴產
- 晶源半導體材料科技(瀋陽)有限公司投產BDD電極材料
聯系人:戴小姐
地址:廣東省深圳市南山區留仙大道3370號南山智園崇文園區1號樓1704
瀋陽辦公地址:遼寧省瀋陽市大東區望花南街15號瀋陽大學科技園
電話:13632750017
郵箱:Sales@hitsemi.com
在線留言