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展會邀請｜鵬城半導體誠摯邀請您參加第七屆全球半導體產業（重慶）博覽會

發布時間:

2025-04-24

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第七屆全球半導體產業（重庆）博覽會將於2025年5月8日-10日在重庆國際博覽中心舉辦，此次博覽會以「新時代．創造芯未來」為主題，展示面積達40000㎡，參展企業800家，吸引35000名專業觀眾到場參觀交流。

第七屆全球半導體產業（重慶）博覽會將於2025年5月8日-10日在重慶國際博覽中心舉辦，此次博覽會以「新時代·創造芯未來」為主題，展示面積達40000㎡，參展企業800家，吸引35000名專業觀眾到場參觀交流。

屆時鵬城半導體將攜前沿薄膜沉積設備及技術解決方案在S1館A131亮相。基於奈米與原子製造的PVD/CVD技術，用於高品質的薄膜製備。例如，用磁控濺射技術進行單晶薄膜製備，將磁控濺射用於分子束外延的束流源等。展品涵蓋微納光學、聲學、醫療領域等熱門應用領域，本次第七屆全球半導體產業（重慶）博覽會給大家帶來前沿技術及產品亮相，誠邀各位新老客戶撥冗蒞臨展位洽談交流！

企業介紹

 

鵬城半導體技術 ( 深圳 ) 有限公司，由哈爾濱工業大學 ( 深圳 ) 與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足於技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新引領與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

鵬城微納技術（瀋陽）有限公司是鵬城半導體技術（深圳）有限公司全資子公司，是半導體工藝和設備的設計中心生產製造基地。

公司核心業務是微納技術與高端精密製造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體設備的研發設計、生產製造、工藝技術服務及半導體設備的升級改造，可為用戶提供工藝研發和打樣。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級設備設計師團隊，他們具有 20 多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜製備成套設備設計、生產製造的經驗。

公司依托於哈爾濱工業大學 ( 深圳 ) ，具備先進的半導體研發設備平台和檢測設備平台，可以在高起點開展科研工作。公司總部位於深圳市，具備半導體設備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。

產品介紹

1 、生產型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機

生產型 TGV/TSV/TMV高真空磁控濺射鍍膜機（Sputter-2000W系列）該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如用於基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層澱積能力，為微系統集成密度提升提供支撐。本設備優點：膜層均勻性及重複性高，膜層附著力強，設備根據工藝配方進行可程式自動化控制。

2 、生產型高真空磁控濺射 / 離子輔助 / 多弧複合鍍膜機

生產型高真空磁控濺射 / 離子輔助 / 多弧複合鍍膜機（ PVD-1000S 系列）該設備廣泛應用於銑刀、鑽頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質耐磨塗層製備，集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的 PVD 設備。

3、HFCVD 金剛石薄膜製備設備

研發設計製造了熱絲 CVD 金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。設備主要用於微米晶和奈米晶金剛石薄膜的研發和生產。可應用於力學等級、熱學等級、光學等級、聲學等級的金剛石產品的研發生產。可以製造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用於大功率器件、高頻器件及大功率雷射器的散熱熱沉。可應用於生產製造防腐耐磨硬質塗層；環保領域污水處理用的金剛石產品。可應用於平面工件的金剛石薄膜製備，也可應用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。可應用於太陽能薄膜電池的研發與生產。

4、高真空磁控濺射儀

科研型高真空磁控濺射鍍膜機 Circular Sputter 系列是我司科研類高真空磁控濺射儀，其主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。可應用於 TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（ ≥10:1 ）的深孔種子層鍍膜。

5 、分子束外延薄膜生長設備（ MBE ）

分子束外延薄膜生長設備（ MBE ）可在某些襯底上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維奈米線等。可進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長製造。分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環境，是在理想的環境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

我公司設計製造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產型兩種，配置合理，結構簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產型 MBE 可用於批量外延片的製備。

6、PECVD 等離子體增強化學氣相沉積

PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長；採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高品質的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

7、生產型高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機

生產型高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機（PVD-1000B系列）該設備採用磁控濺射、離子輔助、反應濺射的工藝方法，在工件表面製備各種薄膜材料。該設備是整合了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的PVD設備。

第七屆全球半導體產業(重庆)博覽會

時間：2025年5月8-10日

地點：重慶國際博覽中心     

主題：新時代·創造“芯”未來

展位號：S1館-A131

 

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全球 MBE 市場穩步增長，中國鵬城半導體突破技術壟斷

2021年，全球分子束外延（MBE）系統市場規模約為5.5億元人民幣，展望至2028年，這個數字預計將攀升至9.6億元，意味著在2022至2028年間，該市場將以8.3%的年複合成長率持續壯大。分子束外延系統在半導體及基礎材料研究領域發揮著關鍵作用，其消費主力軍包括歐洲、美國、日本以及中國等工業體系完備的國家，它們共同佔據了全球超過八成的市場份額。

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薄膜沉積設備分類：薄膜沉積是指在矽晶圓等基板上沉積待處理的薄膜材料，所沉積薄膜材料主要是二氧化矽、氮化矽、多晶矽等非金屬以及銅等金屬，沉積膜可為非晶質、多晶或單晶。

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