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鵬城半導體攜TGV/TSV/TMV技術亮相慕尼黑上海光博會

發布時間:

2025-02-21

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慕尼黑上海光博會，堪稱亞洲激光、光學、光電行業的年度盛會。自 2006 年首次在上海舉辦以來，其規模與影響力與日俱增，已然成為全球光電行業的重要交流平台。 慕尼黑上海光博會將於2025年3月20-22日在上海新國際博覽中心（上海市浦東新區龍陽路2345號）舉辦，屆時鵬城半導體將攜前沿薄膜沉積設備及技術解決方案在E4館4631亮相。基於納米與原子製造的PVD/CVD技術，用於高質量的薄膜製備。例如，用磁控濺射技術進行單晶薄膜製備，將磁控濺射用於分子束外延的束流源等。展品涵蓋微納光學、聲學、醫療領域等熱門應用領域，本次慕尼黑上海光博會給大家帶來前沿技術及產品亮相，誠邀各位新老客戶撥冗蒞臨展位洽談交流！

慕尼黑上海光博會，堪稱亞洲激光、光學、光電行業的年度盛會。自 2006 年首次在上海舉辦以來 ，其規模與影響力與日俱增，已然成為全球光電行業的重要交流平台。

慕尼黑上海光博會將於2025年3月20-22日在上海新國際博覽中心（上海市浦東新區龍陽路2345號）舉辦，屆時鵬城半導體將攜前沿薄膜沉積設備及技術解決方案在E4館4631亮相。基於納米與原子製造的PVD/CVD技術，用於高質量的薄膜製備。例如，用磁控濺射技術進行單晶薄膜製備，將磁控濺射用於分子束外延的束流源等。展品涵蓋微納光學、聲學、醫療領域等熱門應用領域，本次慕尼黑上海光博會給大家帶來前沿技術及產品亮相，誠邀各位新老客戶撥冗蒞臨展位洽談交流！

生產型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機

鵬城半導體此次參展的明星產品 —— 生產型TGV/TSV/TMV高真空磁控濺射鍍膜機。

該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用於基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層淀積能力，為微系統集成密度提升提供支撐。
在玻璃基板和陶瓷基板鍍膜方面，該鍍膜機優勢明顯。玻璃基板作為下一代芯片基板，具有優良的高頻電學特性、大尺寸超薄易獲取、低成本、工藝流程簡單和機械穩定性強等優勢。

鵬城半導體的生產型 TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機在技術上實現了多項創新與突破，為半導體行業的發展注入了新的活力。

從行業發展的角度來看，TGV/TSV/TMV技術創新推動了半導體行業在先進封裝、高性能芯片製造等關鍵領域的進步。在先進封裝方面，高真空磁控濺射鍍膜機的技術突破，使得玻璃基板和陶瓷基板在 3D 封裝、異構集成中的應用更加廣泛，加速了芯片小型化、高性能化的發展趨勢；在高性能芯片製造中，均勻、高質量的鍍膜工藝為芯片的性能提升提供了保障，有助於推動半導體行業向更高製程、更低功耗的方向發展。
生產型 高真空磁控濺射/離子輔助/多弧複合鍍膜機

該設備廣泛應用於銑刀、鑽頭、軸承、齒輪、鏡片等表面的硬質耐磨塗層製備，集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的PVD設備。

可以製備單層膜、多層膜、掺雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。
生產型 高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機

採用磁控濺射、離子輔助、反應濺射的工藝方法，在工件表面製備各種薄膜材料。該設備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的PVD設備。

可以製備單層膜、多層膜、掺雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。

科研型 高真空磁控濺射鍍膜機

科研型 高真空磁控濺射鍍膜機 Circular Sputter系列是我司科研類高真空磁控濺射儀，其主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、掺雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。

可用於TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔種子層鍍膜。
設備關鍵技術特點

秉承設備為工藝實現提供實現手段的理念，我們做了如下設計和工程實現，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現提供了精準的工藝設備方案。

HFCVD 熱絲化學氣相沉積設備

研發設計製造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。

設備主要用於微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發和生產。可用於力學級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產品的研發生產。

可以製造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用於大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

可用於生產製造防腐耐磨硬質塗層；環保領域污水處理用的金剛石產品。

可用於平面工件的金剛石薄膜製備，也可用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。

可用於太陽能薄膜電池的研發與生產。

MBE分子束外延設備

分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長製造。

我公司設計製造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產型兩種 ，配置合理，結構簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。

生產型MBE可用於小批量外延片的製備。

 

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「中國材料大會2025」：作為新材料領域國家級學術品牌大會，面向國家重大需求，匯聚最權威的專家學者和國家級戰略科技力量，聚焦「卡脖子」領域和「前沿必爭」領域的關鍵突破，推動高端學術研討，解決行業發展中重大共性問題和新興產業推進中重大難題，搶占全球新材料發展的學術制高點，形成體系化國家級戰略布局，為推動我國新質生產力建設打造堅實的物質基礎與保障。

全球 MBE 市場穩步增長，中國鵬城半導體突破技術壟斷

2021年，全球分子束外延（MBE）系統市場規模約為5.5億元人民幣，展望至2028年，這個數字預計將攀升至9.6億元，意味著在2022至2028年間，該市場將以8.3%的年複合成長率持續壯大。分子束外延系統在半導體及基礎材料研究領域發揮著關鍵作用，其消費主力軍包括歐洲、美國、日本以及中國等工業體系完備的國家，它們共同佔據了全球超過八成的市場份額。

轉發 科創要聞 | 豐富形式促服務 精準服務助創新

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展會邀請｜鵬城半導體誠摯邀請您參加第七屆全球半導體產業（重慶）博覽會

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