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生產型 TGV/TSV

發布時間:

2024-12-27

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生產型 TGV/TSV 高真空磁控濺射鍍膜機該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用於基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層沉積能力，為微系統集成密度提升提供支撐。

生產型 TGV/TSV 高真空磁控濺射鍍膜機該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用於基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層沉積能力，為微系統集成密度提升提供支撐。

設備優點：膜層均勻性及重複性高，膜層附著力強，設備依據工藝配方進行可編程自動化控制。

設備結構及性能參數

-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室

-臥式結構、立式結構

-線列式、團簇式

-樣品傳遞：直線式、圓周式

-磁控濺射靶數量及類型：多支矩形磁控靶

-磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈衝兼容

-基片可加熱、可升降、可加偏壓

-通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜

-操作方式：手動、半自動、全自動

-基片托架：根據基片尺寸配置

-基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶指定尺寸

-進/出樣室極限真空度：≤8X10-5Pa

-進/出樣室工作背景真空度：≤2X10-3Pa

-鍍膜室的極限真空度：5X10-5Pa，

工作背景真空度：8X10-4Pa

-膜層均勻性：<5%（片內），<5%（片間）

-設備總體漏放率：關機12小時真空度≤10Pa

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