新聞中心
img

公司新聞

行業資訊

為您提供高性價比HFCVD熱絲化學氣相沉積設備解決方案《颱風新聞》

發布時間:

2023-06-08

微博 微信 朋友圈 QQ QQ空间 复制链接
金剛石作為一種寬帶隙半導體材料,具有優異的物理化學性能,在高溫高頻、大功率電子器件等高新技術領域有極大的應用潛力。 但目前缺乏有效實用的n型導電材料,製約了金剛石半導體在電子領域中的應用。 眾多研究者尋找有利於獲得低電阻率n型金剛石的雜質元素和摻雜方法。 磷元素被認為是金剛石中最有潛力的施主雜質,但在磷摻雜金剛石中存在嚴重的載流子補償問題。 隨著金剛石中磷摻雜濃度的提高,載流子補償率也增加,大大降低了磷的摻雜效果,電阻率難以達到器件的要求。

金剛石作為一種寬帶隙半導體材料,具有優異的物理化學性能,在高溫高頻、大功率電子器件等高新技術領域有極大的應用潛力。 但目前缺乏有效實用的n型導電材料,製約了金剛石半導體在電子領域中的應用。 眾多研究者尋找有利於獲得低電阻率n型金剛石的雜質元素和摻雜方法。 磷元素被認為是金剛石中最有潛力的施主雜質,但在磷摻雜金剛石中存在嚴重的載流子補償問題。 隨著金剛石中磷摻雜濃度的提高,載流子補償率也增加,大大降低了磷的摻雜效果,電阻率難以達到器件的要求。

日本國立物質材料研究所Yuki Katamune團隊使用熱絲化學氣相沉積法(HFCVD)製備了重磷摻雜金剛石(111)薄膜,此方法具有生長面積大和設備配置簡單等優點。 通過改變摻雜劑中三甲基膦(PMe3)與甲烷的比例,成功地將薄膜的磷濃度控制在1018~ 1020cm-3範圍內,從而有效地降低了電阻率;並在高摻雜水平下獲得了小於50Ωcm的低電阻率。 研究結果表明,HFCVD的重磷摻雜可能是製備用於金剛石基電子器件的低電阻n型層的一種有效方法。 為製造更高效的電子器件提供了一條新的思路,並為未來製備高性能、低電阻率的n型導電鑽石材料提供了更廣闊的前景。 未來的研究應側重於驗證金屬雜質對載流子導電和器件性能的影響,以促進HFCVD製備的重磷摻雜薄膜的實際應用。
熱絲CVD金剛石設備
研發設計製造了熱絲CVD金剛石設備,分為實驗型設備和生產型設備兩類。
設備主要用於微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發和生產。 可用於力學級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產品的研發生產。
可以製造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用於大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
可用於生產製造防腐耐磨硬質塗層;環保領域污水處理用的金剛石產品。
可用於平面工件的金剛石薄膜製備,也可用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。
可用於太陽能薄膜電池的研發與生產。






平面工作尺寸
圓形平面工作的尺寸:最大φ600mm。
矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據鍍膜室的長度確定(如:工件長度1200mm)。
配置冷水樣品台。
可單面鍍膜也可雙面鍍膜。
熱絲電源功率
可達300KW,1KW ~ 300KW可調(可根據用戶工藝需求配置功率範圍)
設備安全性
-電力系統的檢測與保護
-設置真空檢測與報警保護功能
-冷卻循環水系統壓力檢測和流量檢測與報警保護
-設置水壓檢測與報警保護裝置
-設置水流檢測報警裝置
設備構成
真空室構成
雙層水冷結構,立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前後開門,真空尺寸,根據工件尺寸和數量確定。
熱絲
熱絲材料:鉭絲、或鎢絲
熱絲溫度:1800℃~ 2500℃ 可調
樣品台
可水冷、可加偏壓、可旋轉、可升降 ,由調速電機控制,可實現自動升降,(熱絲與襯底間距在5 ~ 100mm範圍內可調),要求升降平穩,上下波動不大於0.1mm。



















工作氣路(CVD)
工作氣路根據用戶工藝要求配置:
下面氣體配置是某一用戶的配置案例。
H2(5000sccm,濃度100%)
CH4(200sccm,濃度100%)
B2H6(50sccm,H2濃度99%)
Ar(1000sccm,濃度100%)
真空獲得及測量系統
控制系統及軟件
生產型熱絲CVD金剛石設備








可製備金剛石面積-寬600*長1200mm

新聞中心

鵬城半導體展會風采｜第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會

2026年8月26日至28日，為期三天的第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）7號館圓滿落幕。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（以下簡稱「鵬城半導體」）攜鑽石散熱晶圓片與核心鍍膜設備（PVD鍍膜設備、CVD鍍膜設備）亮相H20展位。

鵬城半導體邀您相聚第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會，共赴先進封裝產業技術盛會

2026年8月26日至28日，第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會將於深圳國際會展中心（寶安新館）7號館盛大啟幕。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱「鵬城半導體」）將亮相本次展會，並參與同期舉辦的第四屆玻璃基板暨先進封裝產業鏈高峰論壇，誠邀廣大客戶、行業同仁蒞臨交流，共探產業技術發展新機遇。

鵬城微納榮獲「創贏未來」創業大賽全國總決賽三等獎

近日，由人社部和安徽省人民政府聯合主辦的「創贏未來」創業大賽全國總決賽在合肥市落下帷幕。鵬城微納技術（瀋陽）有限公司（以下簡稱「鵬城微納」）憑藉隧道連續式高真空磁控鍍膜封裝設備項目，榮獲「科技成果+創業賽道」全國總決賽三等獎，穩步走完省級選拔賽晉級全國賽場的完整賽程。

颱風資訊｜HFCVD——大尺寸鑽石薄膜沉積

大尺寸鑽石薄膜是實現規模化工業應用的關鍵，而HFCVD熱絲化學氣相沉積技術，正是目前製備大尺寸鑽石薄膜最主流、最高效的工業化方案。

TSV技術：AI算力的核心支柱

打通AI晶片的資料傳輸大動脈，支援算力持續躍升，需要晶片內部的底層關鍵技術——TSV矽通孔。TSV全稱為Through-Silicon Via，中文譯為矽通孔技術。簡單來說，它透過在矽片中製造垂直通孔並填充導電材料，從而於矽片的上下表面之間建立一條垂直的高密度電互連通道，實現晶片之間互連，是2.5D／3D封裝的關鍵工藝技術之一。