颱風資訊|HFCVD——大尺寸鑽石薄膜沉積
在半導體散熱、精密製造、高端雷射等領域,鑽石薄膜憑藉高熱導率、耐磨、耐腐蝕、電化學穩定等優異性能,成為不可或缺的功能材料。其中,大尺寸鑽石薄膜是實現規模化工業應用的關鍵,而 HFCVD熱絲化學氣相沉積技術 ,正是目前製備大尺寸鑽石薄膜最主流、最高效的工業化方案。

為什麼大尺寸鑽石薄膜是實現規模化工業應用的關鍵?
天然鑽石產量稀少、尺寸極小、雜質不可控,無法滿足工業化批量應用。而人工製備的大尺寸鑽石薄膜,憑藉全方位的性能優勢,可適配工業化量產需求:

高熱導率 :熱導率遠超銅、銀等金屬材料,是第三代半導體功率器件、射頻晶片的核心散熱基材,可有效解決高集成、高熱流密度設備的積熱失效難題。
超強耐磨防護 :具備超高硬度,針對耐高溫基材或經特殊過渡層設計的零組件,可在精密機械零組件表面沉積防護薄膜,提升工件耐磨性和使用壽命,降低企業生產成本。
優異電化學特性 :經摻硼改性後的金剛石薄膜,可製成 BDD電極 ,能夠高效處理高鹽、高毒、難降解的工業廢水,環保無二次污染。
優質光學性能 :高透光、抗雷射損傷、耐高溫形變,可用於高功率雷射窗口、紅外光學元件等場景。
為什麼HFCVD是大尺寸鑽石薄膜沉積的核心技術?
HFCVD(熱絲化學氣相沉積) 是目前工業化量產的主流工藝,其核心是提供穩定、可控的薄膜生長環境,在各類襯底表面沉積/生長高品質金剛石薄膜。該類設備結構穩定、擴容性極強、膜層均勻性好,可輕鬆實現超大幅面金剛石薄膜整版沉積。

通俗原理如下:
1、將腔體抽至本底真空後,將經過精確控制的氣體混合物,通常是碳源氣體(如甲烷CH 4 )和過量氫氣(H 2 )的混合物,以低壓引入腔體,搭建純淨的低壓反應環境;
2、腔體內部專用熱絲通常升溫至2000℃以上高溫,裂解混合工藝氣體;
3、氣體裂解產生活性碳原子基團,在矽、鉬等襯底表面形成金剛石晶粒;
4、原子氫選擇性刻蝕生長過程中產生的石墨雜相,保障薄膜純度,最終在基底表面生成均勻、致密的大尺寸鑽石多晶薄膜。
鵬城半導體 HFCVD熱絲化學氣相沉積設備
依托哈工大(深圳)的核心技術團隊積澱,鵬城半導體聚焦國產化HFCVD裝備的迭代升級,針對性解決傳統設備薄膜沉積不均、熱絲壽命短、量產尺寸受限等行業痛點,為客戶提供設備+工藝的一站式解決方案。

HFCVD熱絲化學氣相沉積設備
設備支援大尺寸圓形、矩形基材沉積,可穩定製備2–8英寸金剛石薄膜,並已實現 12英寸 超大幅面的工藝突破, 熱絲不塌腰 ,適配半導體、光學、精密製造、環保等領域的量產尺寸需求。

電子顯微鏡下的金剛石晶圓片
大尺寸金剛石薄膜的規模化應用,是我們國家中半導體配套產業國產化升級的重要標誌,而HFCVD裝備,正是打通產業鏈上游的核心。未來,鵬城半導體將持續深耕HFCVD薄膜沉積裝備領域,不斷優化大尺寸金剛石薄膜沉積工藝,以國產化硬核裝備賦能上下游企業,助力金剛石功能材料產業高質量發展。
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