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鵬城半導體誠邀請您參觀第24屆CIOE中國光博會

發布時間:

2022-08-29

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9月7日-9月9日,第24屆中國國際光電博覽會將在深圳國際會展中心舉辦。 鵬城半導體將攜熱絲CVD金剛石製備設備、分子束外延薄膜生長設備(MBE)、高真空磁控濺射儀、多功能磁控濺射儀、高真空電子束蒸發鍍膜機、高真空電阻熱蒸發鍍膜機及化學氣相沉積(CVD)設備(其中包括LPCVD設備、MOCVD設備、PECVD設備等)等解決方案參加此次展會,在此誠摯邀請業界朋友蒞臨鵬城半導體展位,共話前沿技術,展望真空鍍膜設備未來。

9月7日-9月9日,第24屆中國國際光電博覽會將在深圳國際會展中心舉辦。
鵬城半導體將攜熱絲CVD金剛石製備設備、分子束外延薄膜生長設備(MBE)、高真空磁控濺射儀、多功能磁控濺射儀、高真空電子束蒸發鍍膜機、高真空電阻熱蒸發鍍膜機及化學氣相沉積(CVD)設備(其中包括LPCVD設備、MOCVD設備、PECVD設備等)等解決方案參加此次展會,在此誠摯邀請業界朋友蒞臨鵬城半導體展位,共話前沿技術,展望真空鍍膜設備未來。

展區:精密光學展&光學真空鍍膜館
展館:9號館
展位號:9B83

展館分布圖(9號館)

參展解決方案

熱絲CVD金剛石製備設備
鵬城半導體研發設計製造了熱絲CVD金剛石設備,分為實驗型設備和生產型設備兩類。
熱絲CVD金剛石設備主要用於微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石塗層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。 例如可用於生產製造環保領域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電極。
可用於平面工件的金剛石薄膜製備,也可用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。
工作的尺寸:最大φ650mm。
矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據鍍膜室的長度確定(如:工件長度1200mm)。
實驗型 熱絲CVD金剛石設備





單面熱絲CVD金剛石設備

雙面熱絲CVD金剛石設備

生產型熱絲CVD金剛石設備

可製備金剛石面積-寬650*1200mm

可製備金剛石φ 650mm

分子束外延薄膜生長設備(MBE)
分子束外延薄膜生長設備(MBE)(分子束外延MBE)該設備可以在某些襯底材料上實現外延生長工藝,實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。 可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
分子束外延薄膜生長設備(MBE)在薄膜外延生長時具有超高的真空環境,是在理想的環境下進行薄膜外延生長,它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司設計製造的分子束外延薄膜生長實驗設備,分實驗型和生產型兩種 ,配置合理,結構簡單,操作方便,技術先進,性能可靠,用途多,實用性強,價格相對較低,可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。 生產型MBE可用於小批量外延片的製備。


功能特點
本項目於2005年在國內率先完成了成套MBE的全國產化研發設計和製造,做到自主可控。 自主設計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、RHEED原位實時在線監控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品台、膜厚儀(可計量外延生長的分子層數)等核心部件。

可實現第二代半導體(如砷化鎵等)和第三代半導體(如碳化矽和氮化鎵)的外延生長。

經過十幾年的工藝探索, 設備設計不斷升級, 已具備設計製造生產型 MBE設備的能力。
設備配置合理,結構簡單,技術先進,性能可靠,用途多,實用性強, 性能價格比高。
實驗型MBE

生產型MBE

除了以上設備解決方案,鵬城半導體展台還將展示其他設備解決方案,如化學氣相沉積(CVD)包括LPCVD設備、MOCVD設備、PECVD設備;物理氣相沉積(PVD)包括:高真空電阻熱蒸發鍍膜機(高真空鍍膜機)、高真空電子束蒸發鍍膜機(電子束蒸發鍍膜機)、高真空磁控濺射儀(磁控濺射鍍膜機)等解決方案。 敬請期待!
9號館 | 9B83
9月7-9日,深圳國際會展中心,
我們與您不見不散!


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