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重磅|熱絲CVD金剛石解決方案亮相第十五屆中國微納電子技術交流與學術研討會

發布時間:

2022-08-09

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第十五屆中國微納電子技術交流與學術研討會於8月12日-14在廈門君泰酒店召開,此次 「論壇」大多來自我國從事MEMS、傳感器、機器人、微加工、微製造、微系統、微能源、納米材料等相關的高校院所、生產製造和封裝測試單位,成員主要負責生產管理工作的領導和技術人員,負責設備規劃和選型的專家,以及從事教學科研的學者。

第十五屆中國微納電子技術交流與學術研討會於8月12日-14在廈門君泰酒店召開,此次 「論壇」大多來自我國從事MEMS、傳感器、機器人、微加工、微製造、微系統、微能源、納米材料等相關的高校院所、生產製造和封裝測試單位,成員主要負責生產管理工作的領導和技術人員,負責設備規劃和選型的專家,以及從事教學科研的學者。
近些年,國家相關政策陸續出台,持續加碼第三代半導體,科技創新如火如荼。 整個半導體市場規模迎來快速發展。

政策東風

現有市場:半導體領域制備工藝及裝備主要依賴進口,那我們怎麼辦呢?
解決現存問題,關鍵要在加強基礎研究上發力,提升產業鏈自主可控能力,國產化產品,共建一個全國知名的產品及企業。
屆時鵬城半導體受主辦方邀請也參與此會議,企業自主研發的熱絲CVD金剛石設備、分子束外延薄膜生長設備MBE設備等解決方案亮相本次會議。
分子束外延薄膜生長設備(MBE)
作為一家致力於半導體材料、工藝和裝備的研發設計、生產製造的科技型企業,鵬城半導體技術(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導體),在國內首家推出具有自主知識產權的分子束外延薄膜生長設備MBE(分子束外延MBE)用於外延光電半導體材料;本公司利用國內高效的生產效率以及多學科人才的匯集通過對設備的功能、品控、工藝設計層層管理使得該設備具備與同類型進口設備對標競爭的能力。
設計團隊將設備結構模塊化,各重要部件可作為單獨模塊獨立拆卸用於更換和升級,無需拆卸整機,減少維護時間,提高用戶工作效率。 各部件安裝接口按照國際標準設計,可配套進口標準零部件。 分子束外延薄膜生長設備MBE自主創新解決競品存在的問題,設備生產周期可控,品質可控,在不影響功能使用以及體驗的前提下,設備價格與同級別進口設備相比較,更具優勢,為更多研究單位提供使用機會,由於設備結構模塊化,部分部件可用進口部件替換,滿足進口國產配件並行使用。 設備維護響應時間短,配件配套效率高,設備運行穩定。




分子束外延薄膜生長設備(MBE)-實驗型

分子束外延薄膜生長設備(MBE)-生產型

熱絲CVD金剛石製備設備

鵬城半導體熱絲CVD設備方案
多領域 易操作 沉積區域大

熱絲CVD金剛石主要用於微晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石塗層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。

可用於生產製造環保領域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電極。
可用於平面工作的金剛石薄膜製備,也可用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。
平面工作尺寸
圓形平面工作的尺寸:最大φ650mm。
矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據鍍膜室的長度確定(如:工件長度1200mm)。
配置冷水樣品台。
熱絲電源功率
可達300KW,1KW ~ 300KW可調(可根據用戶工藝需求配置功率範圍)
設備安全性
-電力系統的檢測與保護
-設置真空檢測與報警保護功能
-冷卻循環水系統壓力檢測和流量檢測與報警保護
-設置水壓檢測與報警保護裝置
-設置水流檢測報警裝置
設備構成
真空室構成
雙層水冷結構,立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前後開門,真空尺寸,根據工件尺寸和數量確定。
熱絲
熱絲材料:鉭絲、或鎢絲
熱絲溫度:1800℃~ 2500℃ 可調
樣品台
可水冷、可加偏壓、可旋轉、可升降 ,由調速電機控制,可實現自動升降,(熱絲與襯底間距在5 ~ 100mm範圍內可調),要求升降平穩,上下波動不大於0.1mm。
工作氣路(CVD)
工作氣路根據用戶工藝要求配置:
下面氣體配置是某一用戶的配置案例。
H2(5000sccm,濃度100%)
CH4(200sccm,濃度100%)
B2H6(50sccm,H2濃度99%)
Ar(1000sccm,濃度100%)
真空獲得及測量系統
控制系統及軟件
熱絲CVD金剛石設備分類






























實驗型熱絲CVD金剛石設備

單面熱絲CVD金剛石設備

雙面熱絲CVD金剛石設備

生產型熱絲CVD金剛石設備

可製備金剛石面積-寬650*1200mm

可製備金剛石φ650mm

第十五屆中國微納電子技術交流與學研討會
時間:8月12-14日
地點:廈門君泰酒店

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