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PECVD 等離子體增強化學氣相沉積

PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高品質的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

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  • 產品描述
  • PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高品質的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

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