生產型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控濺射鍍膜機

生產型TGV/TSV/TMV高真空磁控濺射鍍膜機（Sputter-2000W系列）該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。

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產品描述

生產型TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺鍍鍍膜機（Sputter-2000W系列） 該設備用於玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用於基板鍍膜工序Cu/Ti微結構，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層澱積能力，為微系統整合密度提升提供支援。

本設備優點：膜層均勻性及重複性高，膜層附著力強，設備依據製程配方進行可編程自動化控制。
設備結構及性能參數
- 單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
- 臥式結構、立式結構
- 線列式、叢集式
- 樣品傳遞：直線式、圓周式
- 磁控濺鍍靶數量及類型：多支矩形磁控靶
- 磁控濺鍍靶：直流、射頻、中頻、高能脈衝相容
- 基片可加熱、可升降、可加偏壓
- 通入反應氣體，可進行反應濺鍍鍍膜
- 操作方式：手動、半自動、全自動
- 基片托架：根據基片尺寸配置
- 基片幅面：2、4、6、8、10英吋及客戶指定尺寸
- 進/出樣室極限真空度：≤8X10 ^-5 Pa
- 進/出樣室工作背景真空度：≤2X10 ^-3 Pa
- 鍍膜室的極限真空度：5X10 ^-5 Pa,
　工作背景真空度：8X10 ^-4 Pa
- 膜層均勻性：<5%（片內），<5%（片間）
- 設備總體漏放率：關機12小時真空度≤10Pa

工作條件

類型	參數	備註
供電	～380V	三相五線制
功率	根據設備規模配置
冷卻水循環	根據設備規模配置
水壓	1.0～1.5×10 ⁵ Pa
製冷量	根據散熱量配置
水溫	18～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環境溫度	10℃～40℃
工作環境濕度	≤50%