產品分類
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項目
配置和指標 1
整體結構 設備整體為cluster結構,由光電轉換薄膜沉積系統、MAMS 電子剝離系統、排氣封裝系統、吸氣材料真空塗敷系統、整體除氣系統組成。 可實現整體自動協調操作,也可各系統獨立運行,互不干擾,系統間可設置互鎖。 316材質製造,預留若干法蘭接口。 2
系統控制 設備控制系統可實現單機操作,也可聯機操作,並配置上位機,進行1拖6布局。 具體控制邏輯實現互鎖,操作界面清晰,並可設置工藝編輯權限。 3
工藝流程 裝片---傳片---確定生長條件(束流、襯底溫度)--脫氧--穩定襯底溫度---束源升溫---生長開始---生長控制---生長結束---束源溫度降溫--- 襯底溫度降溫---真空恢復---傳出樣品--取片---恢復真空。 4
原位檢測系統 標準光源控制3100K或其它色溫,光源可變強度,可實現照度信息採集。 設備整體電位控制0-500V,精度 1/1000, 自動短路保護。 光電流實時採集10nA~ 10mA,自動變擋,精度 1/1000。
帶漏電斜率觸發功能。5
加熱源及電源 至少3個金屬化合物位置 1個金屬單質舟位置,電流控制束流源速率,可實現 0-10A輸出,連續可調。 設置過壓、過熱保護。 6
電子剝離部件 剝離源發生極激勵電流0-10A ,連續可調,調節精度0.001A,有效區域控制最大有效直徑 35mm。 能量精度±0.1%@直徑 35mm。 強度檢測帶過載報警。 7
真空系統 設備採用分子泵組和低溫泵組雙真空系統以應對不同工藝的要求,工作真空度≤8*10-7pa,帶泵前保護。 8
外烘烤系統 外烘烤溫度≤500℃, 烘烤時間24H,設備各部件可長時間應適應該溫度。 溫度範圍,(RT)+80℃~ 500℃,顯示精度 0.1℃,溫度波動度±1.0℃,溫度均勻度±2.0℃%,升溫時間25~ 400℃約90分鐘。
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