高真空雙頻PECVD薄膜製備設備

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服務支持:

項目	配置和指標
1	整體結構
	設備總功率7KW,由PECVD鍍膜室、氣路系統、真空系統、基片加熱系統、進氣電極、雙頻電源、電氣控制系統、尾氣處理裝置及軟件組成。
2	系統控制
	採用觸摸屏和PLC中央控制方式,配合相關電氣控制單元對設備鍍膜室、雙頻電源、膜厚監控系統等進行監測和控制,設水、電、氣、真空、溫度故障自動聲光報警和保護系統。
3	真空系統
	真空配置抽速35m3/h渦旋乾泵,氣動閥控制;抽速4320m3/h磁懸浮分子泵,插板閥控制。真空室極限真空≤5×10-5Pa,工作背景真空≤4×10-4Pa,設備總體漏放率在停泵12小時後真空度≤10Pa。
4	進氣和加熱
	噴淋進氣方式,採用鎧裝加熱絲和封閉的不鏽鋼爐盤對基片加熱,可加溫RT~ 450℃,可控可調。
5	工藝概況
	電容耦合雙頻等離子體激活氣體,雙頻電源的高頻部分控制等離子體的通量,低頻部分控制等離子體的能量。樣片尺寸≤8英寸,襯底、電極間距5~ 50mm在線可調,工作控制壓強10Pa~ 1000Pa,氣體控制迴路6路,雙頻電源頻率13.56MHz/400KHz。
6	安全系統
	開啟真空室門及真空室處於開門狀態時,系統自動關閉真空室內電源,整套設備安裝強電漏電保護裝置、交流電供電系統檢測報警裝置。