科研型高真空磁控濺射鍍膜機

所屬分類:

高真空磁控濺射儀(實驗型)

服務支持:

13632750017

獲取報價

相關產品

產品描述

科研型高真空磁控濺射鍍膜機Circular Sputter系列是我司科研類及中試類高真空磁控濺射儀，其主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、掺雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。
可用於TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔種子層鍍膜。
設備關鍵技術特點
秉承設備為工藝實現提供實現手段的理念，我們做了如下設計和工程實現，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現提供了精準的工藝設備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結合處理
- 靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發熱升溫，降低鍍膜質量。
- 靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。
- 增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。
距離可調整
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。
集成一體化櫃式結構
一體化櫃式結構優點：
安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）
佔地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩台設備。
控制系統
採用計算機＋PLC 兩級控制系統
安全性
- 電力系統的檢測與保護
- 設置真空檢測與報警保護功能
- 溫度檢測與報警保護
- 冷卻循環水系統的壓力檢測和流量
- 檢測與報警保護
均氣技術
工藝氣體採用均氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
基片加熱技術
採用鎧裝加熱絲，由於通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純淨度。鎧裝加熱絲放入均溫器裡，保證溫常的均勻，然後再對基片加熱。
真空度更高、抽速更快
真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜更純淨，真空度更高，抽速更快。
設備結構及性能：
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數量及類型：1～6個靶，圓形平面靶
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈衝、直流兼容
5、基片可旋轉、可加熱、可升降、可加偏壓
6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜
7、操作方式：手動、半自動、全自動
8、如果需要更高本底真空需要配置LOADLOCK，超高真空磁控濺射靶並且樣品傳遞採用折疊式，超高真空機械手或真空機械手，系統極限真空可達10-8Pa
設備主要技術指標
- 基片托架：根據供件大小配置。
- 基片加熱器溫度：根據用戶供應要求配置。溫度可用電腦編程控制，可控可調。
- 基片自動速度：2~20轉/分鐘。
- 基片架可加熱、可旋轉、可升降。
- 靶面到基片距離30mm~140mm 可調。
- Φ2～Φ12英寸平面圓形靶1～6支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。
- 鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa~7X10-8Pa，恢復工作背景真空7×10-4Pa：30分鐘左右（新設備充乾燥氮氣）
- 設備總體漏放率：關機12小時真空度≤5Pa
設備工作條件

類型	參數	備註
供電	～380V	三相五線制
功率	根據設備規模配置
冷卻水循環	根據設備規模配置
水壓	1.0～1.5×105Pa
制冷量	根據散熱量配置
水溫	18～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環境溫度	10℃～40℃
工作環境濕度	≤50%