PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備

PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質量的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

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產品描述

PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質量的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。

設備用途和功能特點
1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備,主要用於製備氮化矽和氧化硅薄膜。
2、設備保護功能強,具備真空系統檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。
3、配置尾氣處理裝置。
設備安全性設計
1、電力系統的檢測與保護
2、設置真空檢測與報警保護功能
3、溫度檢測與報警保護
4、冷卻循環水系統的壓力檢測和流量檢測與報警保護

設備技術指標

類型	參數
樣片尺寸	≤Φ8英寸(或多片2英寸)
樣片加熱台加熱溫度	室溫~ 600℃±0.1℃
真空室極限真空	≤ 3 × 10^-5Pa
工作背景真空	≤ 4 × 10^-4Pa
設備總體漏放率	停泵12小時後,真空度≤10Pa
樣品、電極間距	5mm ~ 50mm在線可調
工作控制壓強	10Pa ~ 1500Pa
氣體控制迴路	根據工藝要求配置
單頻電源的頻率	13.56MHz
雙頻電源的頻率	13.56mhz/400KHz

工作條件

類型	參數
供電	三相五線製 AC 380V
工作環境溫度	10℃~ 40℃
氣體閥門供氣壓力	0.5MPa ~ 0.7MPa
質量流量控制器輸入壓力	0.05MPa ~ 0.2MPa
冷卻水循環量	0.6m3/h 水溫18℃~ 25℃
設備總功率	7kW
設備占地面積	2.0米 ~ 2.0米