LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

LPCVD低壓化學氣相沉積設備(科研型LPCVD)是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、siO2及Poly硅薄膜)。可用於科學研究、實踐教學、小型器件製造。

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LPCVD 低壓化學氣相沉積設備

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產品描述

LPCVD低壓化學氣相沉積設備(科研型LPCVD)是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si₃N₄、SiO₂及Poly硅薄膜)。可用於科學研究、實踐教學、小型器件製造。

設備結構及特點
1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~ 3片。
基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類型:不規則形狀的散片、φ2~ 4英寸標準基片。
2、設備為水平管臥式結構
由石英管反應室、隔熱罩爐體櫃、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶櫃等系統組成。
反應室由高純石英製成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合於高溫使用; 設備電控部分採用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。

LPCVD設備主要技術指標

類型	參數
成膜類型	你是。₃N₄、多晶矽、SiO₂等
最高溫度	1200℃
恆溫區長度	根據用戶需要配置
恆溫區控溫精度	≤ ± 0.5 ℃
工作壓強範圍	13 ~ 1330Pa
膜層不均勻性	≤ ± 5%
基片每次裝載數量	標準基片:1~ 3片;不規則尺寸散片:若干
壓力控制	閉環充氣式控制
裝片方式	手動進出樣品

LPCVD 低壓化學氣相沉積設備(生產型 LPCVD)
設備功能
該設備是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、siO2及Poly硅薄膜)。
可提供相關鍍膜工藝。

設備結構及特點:
設備為水平管臥式結構,由石英管反應室、隔熱罩爐體櫃、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶櫃等系統組成。
反應室由高純石英製成,耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合於高溫使用; 設備電控部分採用了先進的檢測和控制系統,量值準確,性能穩定、可靠。
整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理,實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。
設備主要技術指標

類型	參數
成膜類型	你是。₃N₄、多晶矽、SiO₂等
最高溫度	1200℃
恆溫區長度	根據用戶需要配置
恆溫區控溫精度	≤ ± 0.5 ℃
工作壓強範圍	13 ~ 1330Pa
膜層不均勻性	≤ ± 5%
基片每次裝載數量	100片
設備總功率	16kW
冷卻水用量	2米³/H
壓力控制	閉環充氣式控制
裝片方式	懸臂舟自動送樣