真空高溫CVD爐

真空高溫CVD 爐採用高溫化學氣相沉積的方法,在工件表面沉積各種薄膜,在半導體工業中應用非常廣泛,包括沉積大面積的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料,例如:碳化鉭塗層、碳化矽塗層材料。

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真空高溫CVD 爐採用高溫化學氣相沉積的方法,在工件表面沉積各種薄膜,在半導體工業中應用非常廣泛,包括沉積大面積的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料,例如:碳化鉭塗層、碳化矽塗層材料。
例如:可在石墨工件表面沉積碳化鉭塗層和碳化矽塗層。
適用於生產企業及各大高校材料實驗室、科研院所、環保科學等領域。
設備構成
爐殼採用不銹鋼材質,雙層水冷結構,設有觀察窗和紅外測溫窗、熱電偶測溫裝置。
加熱系統
設備內部安裝加熱器,形成薄膜沉積熱場。
樣品台系統
樣品台可同時掛載若干工件。
測溫和加熱電源
1、溫度控制和檢測全部採用熱電偶/鎢錸熱電偶/紅外測溫儀。
2、加熱電源功率根據實際要求定製電源。
主要技術指標

類型參數

功率約150KW

加熱器工作溫度 ≤ 2200 ℃

真空度 6.67*10-3Pa(冷態空載)

升壓率 0.08pa/h