產品分類
- 產品描述
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MOCVD 金屬有機化學氣相沉積設備
可用於GaN、ZnO等的外延生長。
材料的輸運採取了超純的氣路系統,源的切換和輸入採用了多路組合閥進氣技術。 由於組合閥具有極小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利於生長具有陡峭界面的材料。
採用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動,有利於材料生長的重複性和穩定性。
採用了管道鑲嵌式進氣噴頭,使反應源在襯底表面均勻混合併反應,大大降低了預反應的發生。
採用電阻式快速升降溫加熱爐。
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