MBE分子束外延設備

分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）該設備可以在某些襯底上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長製造。分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高真空環境，是在理想的環境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

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MBE 分子束外延設備

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產品描述

分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE） 該設備可以在某些襯底上實現外延生長工藝，實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長製造。

分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環境，是在理想的環境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高精度薄膜。

我公司設計製造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產型兩種，配置合理，結構簡單，操作方便，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。

生產型MBE可用於小批量外延片的製備。

功能特點

本項目於2005年在國內率先完成了成套MBE的全國產化研發設計和製造，做到自主可控。
自主設計MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟體、RHEED原位實時在線監控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品台、膜厚儀（可計量外延生長的分子层数）等核心部件。
可實現第二代半導體（如砷化鎵等）和第三代半導體（如碳化矽和氮化鎵）的外延生長。
經過二十幾年的工藝探索，設備不斷升級，已具備設計製造生產型 MBE設備的能力。設備配置合理，結構簡單，技術先進，性能可靠，用途多，實用性強，性能價格比高。

設備組成與主要技術指標
設備的組成
進樣室
該室用於樣品的進出倉，並配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。
預處理室
該室用於樣品在進入外延室之前進行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用於對外延後的樣片進行後工藝處理，如高溫退火等等。
外延室
超高真空潔淨真空室，實現分子束外延工藝。

分子束外延薄膜生長設備（MBE）（分子束外延MBE）主要技術指標
進樣室
極限真空：5.0×10 ^-5 帕
樣品裝載數量：6片
預處理室
極限真空：5×10 ^-7 帕
樣品台加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）
離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室

項目	參數
極限真空	離子泵8.0× 10 ^-9 Pa（冷阱輔助）/低溫泵
樣品台加熱溫度	室溫～ 1200℃±1℃（PID 控制）
樣品自轉速度	2 ～ 20 轉 / 每分鐘（無級可調）
氣態離化源	1～2套（氮）
固態束源爐	3 ～ 10 套（根據用戶需求配置）
里德	1套