高真空磁控濺射鍍膜設備（圓形平面靶，櫃式一體機）HITSemi-PVD-460SC

高真空磁控濺射鍍膜設備主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。也可用於TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔金屬種子層鍍膜。

所屬分類:

服務支持:

高真空磁控濺射鍍膜設備主要是用圓形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔金屬種子層鍍膜。

主要特點
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精確調控。
工藝氣體採用均氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
樣品台可增加偏壓裝置，可用於深孔鍍膜，可調控鍍膜品質。

技術參數

產品型號	HITSemi-PVD-460SC
基片尺寸	4英寸～8英寸
磁控靶尺寸	2"~6"
磁控靶數量	1個～3個，圓形平面靶
腔體材質	304/316（選配）不鏽鋼，電解拋光
真空系統	分子泵+機械泵（可選配，乾泵）
極限真空	5X10^-5 帕
恢復工作背景真空	大氣至7×10 ^-4 Pa，約30分鐘（新設備充乾燥氮氣）
設備總體漏放率	關機12小時真空度≤8Pa
濺射方向	由下向上/由上向下（由用戶指定）
濺射方式	單靶濺射、多靶輪流濺射、多靶共濺射
工藝電源	射頻電源、中頻電源、HIPIMS高能脈衝電源、直流脈衝電源、直流濺射電源
基片台	基片台可加熱至600℃、可旋轉2~30轉/分鐘、可升降、可水冷（選配）
膜厚均勻性	優於±3%
控制形式	半自動/全自動
工藝氣體	3路（N ₂ 、Ar、O ₂ ）
基片台偏壓	可選配
等離子清洗源	可選配
膜厚監控	可選配
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配

設備工作條件