高真空磁控濺射鍍膜設備（矩形靶）HITSemi-PVD-650SR

高真空磁控濺射鍍膜設備主要是用矩形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。

所屬分類:

服務支持:

高真空磁控濺射鍍膜設備主要是用矩形磁控濺射靶進行濺射的方法，製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等；適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜；可鍍製磁性材料和非磁性材料。
也可用于TGV/TSV/TMV 先進封裝的研發，高深徑比（≥10:1）的深孔金屬種子層鍍膜。

主要特點
一機多用，支持平面、圓柱體、碗狀/整流罩等多種形狀基片鍍膜。
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
工藝氣體採用均氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
樣品台可增加偏壓裝置，可用於深孔鍍膜；可調控鍍膜品質。

技術參數

產品型號	HITSemi-PVD-650SR
基片尺寸	平面矩形基片：≤350mm×120mm；單次裝載量：4片運動方式：公轉，或單一定位圓柱體工件：≤φ150×350mm；單次裝載量：4片運動方式：公轉+自轉，或單一定位自轉圓形基片：≤φ100mm；單次裝載量：1片運動方式：僅自轉
靶材尺寸	矩形磁控靶：400mm x100mm 圓形磁控靶：φ3英寸
磁控濺射靶數量	2支~4支（可選配）
適用材料	金屬、絕緣材料、鐵磁材料均可
腔體材質	304/316（選配）不鏽鋼，電解拋光
真空系統	分子泵+乾泵組合
極限真空	8.0X10^-5 帕
恢復工作背景真空	大氣至8.0×10 ^-4 Pa，約30分鐘（新設備充乾燥氮氣）
設備總體漏放率	關機12小時真空度≤8Pa
濺射方式	單獨濺射
工藝電源	射頻電源、中頻電源、HIPIMS高能脈衝電源、直流脈衝電源、直流濺射電源
基片台加熱溫度	φ100mm基片工件台，可加热温度最高約600℃ 其它工件台，可加热温度最高約300℃
多功能工件台	可旋轉、可加熱、可加偏壓
膜厚均勻性	平面基片優於±3%，異形基片根據形狀待定
控制形式	半自動/全自動
工藝氣體	3路（N ₂ 、Ar、O ₂ ）
基片台偏壓	可選配
等離子清洗源	可選配
膜厚監控	可選配
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配

設備工作條件