高真空電子束蒸發鍍膜設備 HITSemi-PVD-600EB

高真空電子束蒸發鍍膜設備是在高真空條件下，採用電子束轟擊材料加熱蒸發的方法，在襯底上鍍製各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等；可鍍製混合物單層膜、多層膜或摻雜膜；可鍍製各種高熔點材料。

所屬分類:

服務支持:

主要特點
真空度高、抽速快、基片裝卸方便。
配備 E 型電子束蒸發源和電阻蒸發源。
PID自動控溫，成膜均勻、放氣量小和溫度均勻。

技術參數

產品型號	HITSemi-PVD-600EB
基片尺寸	4英寸～8英寸
電子束蒸發源	最大功率10KW， e型電子槍
坩堝數量	4孔/6孔（可選配）
電阻熱蒸發源組件	1個~2個（可選配）鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發源組件鎢極或鎢藍熱蒸發源組件
腔體材質	304/316（選配）不鏽鋼，電解拋光
真空系統	分子泵+機械泵
極限真空	5×10 ^-5 帕
恢復工作背景真空	大氣至7×10 ^-4 Pa，約30分鐘（新設備充乾燥氮氣）
設備總體漏放率	關機12小時真空度≤8Pa
工藝電源	電子槍電源、直流蒸發電源
基片台	基片台可加熱至600℃、可旋轉2~30轉/分鐘、可升降、可水冷（選配）
膜厚均勻性	優於±5%
控制形式	半自動/全自動
工藝氣體	3路（N ₂ 、Ar、O ₂ ）（可選配）
等離子清洗源	可選配
膜厚監控	可選配
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配

設備工作條件