高真空電阻熱蒸發鍍膜一體設備 HITSemi-PVD-420TE

高真空電阻熱蒸發鍍膜一體設備採用電阻熱蒸發技術，它是在高真空條件下，透過加熱材料的方法，在基板上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。可用於材料的物理和化學研究。可用於製備金屬導電電極；可用於有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。

所屬分類:

PVD/CVD 科學儀器

服務支持:

13632750017

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產品描述

高真空電阻熱蒸發鍍膜一體設備採用電阻熱蒸發技術，它是在高真空條件下，透過加熱材料的方式，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。
可用於材料的物理和化學研究。可用於製備金屬導電電極；可用於有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。

主要特點
真空度高、抽速快、基片裝卸方便。
PID自動控溫，成膜均勻、放氣量小和溫度均勻。

技術參數

產品型號	HITSemi-PVD-420TE
基片尺寸	1" ~6“
電阻熱蒸發源	1個～4個
電阻熱蒸發源組件	鉭（鎢或鉬）金屬舟熱蒸發源組件石英舟熱蒸發源組件鎢極或鎢藍熱蒸發源組件鉭爐熱蒸發源組件（配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝）束源爐熱蒸發組件（配石英坩堝或氮化硼坩堝）
腔體材質	304/316（選配）不鏽鋼，電解拋光
真空系統	分子泵+機械泵
極限真空	5×10 ^-5 帕
恢復工作背景真空	大氣至7×10 ^-4 Pa，約30分鐘（新設備充乾燥氮氣）
設備總體漏放率	關機12小時真空度≤8Pa
工藝電源	直流蒸發電源、束源爐蒸發電源
基片台	基片台可加熱至600℃、可旋轉2~30轉/分鐘、可升降、可水冷（選配）
膜厚均勻性	優於±5%
控制形式	半自動/全自動
等離子清洗源	可選配
膜厚監控	可選配
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配

設備工作條件

供電	三相五線制，AC 380V，50Hz；接地電阻≤1Ω
功率	根據設備規模配置，峰值功率（10KW~20KW）
冷卻水	≤100升/分钟
水壓	0.1Mpa~0.15MPa
水溫	18℃～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環境溫度	10℃～40℃
工作環境濕度	≤50%