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小型單管LPCVD低壓化學氣相沉積設備 HITSemi-LPCVD-150

小型單管LPCVD低壓化學氣相沉積設備在低壓高溫的條件下，透過化學反應氣相沉積的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly矽薄膜）。可用於科學研究、實踐教學、小型器件製造。

所屬分類:

PVD/CVD 科學儀器

服務支持:

13632750017

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  • 產品描述

  • 小型單管LPCVD低壓化學氣相沉積設備在低壓高溫的條件下，透過化學反應氣相沉積的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si 3 N 4 、SiO 2 及Poly矽薄膜）。可用於科學研究、實踐教學、小型器件製造。

    主要特點
    小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。
    設備為水平臥式結構。
    反應室由高純石英製成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合於高溫使用。
    設備電控部分採用了先進的檢測和控制系統，量值準確，性能穩定、可靠。
    系統提供自動控制無粉塵裝置。

    技術參數

    產品型號 HITS半LPCVD-150
    基片類型 不規則形狀的散片、φ2～φ4英寸標準基片
    基片裝載數量 標準基片：1片～2片；不規則尺寸散片：若干
    基片放置方式 配置三種基片托架：豎直、水平臥式、帶傾角
    真空系統 機械泵、乾泵（可選配）
    爐管 石英管ø150mm，長度1200mm
    恆溫區長度 300毫米
    最高溫度 1100℃
    升溫速率 0～50℃/分
    恆溫區控溫精度 ≤±1℃
    工作壓強範圍 13帕～1330帕
    壓力控制 閉環充氣式控制
    膜層均勻性 優於±5％
    裝片方式 手動進出樣品
    工藝氣體 西H 4 、NH 3 、N 2 O、N 2
    恆溫製冷水箱 可選配
    空氣壓縮機 可選配
    註：不含尾氣處理系統

    設備工作條件

    供電 三相五線制，AC 380V，50Hz；接地電阻≤1Ω
    功率 根據設備規模配置，峰值功率（20KW~30KW）
    冷卻水 ≤100升/分钟
    水壓 0.1Mpa~0.15MPa
    水溫 18℃～25℃
    氣動部件供氣壓力 0.5MPa～0.7MPa
    質量流量控制器供氣壓力 0.05MPa～0.2MPa
    工作環境溫度 10℃～40℃
    工作環境濕度 ≤50%

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