LPCVD設備 HITSemi-LPCVD-200

LPCVD設備配置一套獨立工藝爐管，工藝氣體分別配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通過真空泵獲得低壓來實現氮化矽、氧化矽、多晶矽膜層的沉積。設備主要應用於科研院校、高校、工礦企業等實驗和小批量生產。

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LPCVD設備配置一套獨立工藝爐管，工藝氣體分別配置SiH ₄/NH₃/N₂O/N₂ /Ar，通過真空泵獲得低壓來實現氮化矽、氧化矽、多晶矽膜層的沉積。
設備主要應用於科研院校、高校、工礦企業等實驗和小批量生產。

主要特點
爐膛具有良好的溫度均勻性、保證工藝溫區。
控溫精度高、保溫效果好、溫度範圍大。
工藝氣路採用VCR連接，密封性好。
具有正負壓顯示，爐膛超壓保護、超溫保護，水流水壓水溫保護，斷偶保護。

技術參數

產品型號	HITS半LPCVD-200
最高溫度	1150°C
工作溫度	≤1100°C
管數	1~2管（可訂製）
爐管	進口石英；φ100mm~φ200mm，長度：1200mm（可訂製）
恆溫區長度	400毫米
控溫段數	3段；可以三段单独控制
升溫速率	1°C/分鐘～10°C/分鐘可調
恆溫區控溫精度	±1°C
測溫精度	±1%FS
溫控保護	具有過溫保護、斷偶保護、漏電保護（加漏電保護器）等功能。
工件壓強範圍	13帕～1330帕
膜層不均勻性	優於≤±5%
控溫模式	控溫模式：採用30段程式控溫智慧PID調節，微電腦控制，可程式化控溫曲線，無需看守（全自動升、降、保溫）
工藝氣體	西H ₄ 、NH ₃ 、N ₂ O、N ₂
控制形式	半自動/全自動
控制系統	PLC+觸控螢幕
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配
註：不含尾氣處理系統

設備工作條件