小型PECVD等離子體增強化學氣相沉積設備 HITSemi-PECVD-460

小型PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽、氧化矽和多晶矽的薄膜生長；採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高品質的氮化矽、氧化矽和多晶矽等薄膜的理想工藝設備。

所屬分類:

PVD/CVD 科學儀器

服務支持:

13632750017

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產品描述

小型PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽、氧化矽和多晶矽的薄膜生長；採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高品質的氮化矽、氧化矽和多晶矽等薄膜的理想工藝設備。
雙頻技術，採用13.56MHZ射頻電源和400KHZ中頻電源。
射頻電源用於控制等離子體的通量；中頻電源用於控制等離子體的能量。

主要特點
專門設計的抽氣控制系統，可減少顆粒物，等離子清洗和顆粒物清理技術，進一步減少基片表面的顆粒物。
雙頻技術，提高薄膜生長品質和效率。
設定吹掃所路，保證氣路系統潔淨。
設備安全性設計，電力系統的檢測與保護、設置真空檢測與報警保護功能、溫度檢測與報警保護、冷卻循環水系統的壓力檢測和流量檢測與報警保護、工藝氣路含防交叉污染裝置。

技術參數

產品型號	HITSemi-PECVD-460
基片尺寸	1" ~6"
腔體材質	304/316（選配）不鏽鋼，電解拋光
真空系統	分子泵、機械泵（可選配乾泵）
極限真空	5×10 ^-5 帕
恢復工作背景真空	大氣至7×10 ^-4 Pa，約30分鐘（新設備充乾燥氮氣）
設備總體漏放率	關機12小時真空度≤8Pa
樣品、電極間距	5毫米～50毫米線上可調
工作控制壓強	10帕～1200帕
單頻電源的頻率	13.56MHz
雙頻電源的頻率	13.56MHz/400KHz
工藝電源	射頻電源、中頻電源
基片台	基片台可加熱至600℃，可旋轉2~30轉/分鐘、可升降、可水冷（選配）
膜厚均勻性	優於±5%
控制形式	半自動/全自動
工藝氣體	西H ₄ 、NH ₃ 、N ₂ O、N ₂ 、O ₂
恆溫製冷水箱	可選配
空氣壓縮機	可選配
註：不含尾氣處理系統

設備工作條件

供電	三相五線制，AC 380V，50Hz；接地電阻≤1Ω
功率	根據設備規模配置，峰值功率（5KW~10KW）
冷卻水	≤100升/分钟
水壓	0.1MPa~0.15MPa
水溫	18℃～25℃
氣動部件供氣壓力	0.5MPa～0.7MPa
質量流量控制器供氣壓力	0.05MPa～0.2MPa
工作環境溫度	10℃～40℃
工作環境濕度	≤50%