生產型高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機

生產型高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機（PVD-1000B系列）該設備採用磁控濺射、離子輔助、反應濺射的工藝方法，在工件表面製備各種薄膜材料。該設備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的PVD設備。

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生產型高真空磁控濺射及離子輔助複合鍍膜機（PVD-1000B系列）該設備採用磁控濺射、離子輔助、反應濺射的工藝方法，在工件表面製備各種薄膜材料。該設備是集成了工件表面處理、離子清洗、顆粒物控制、磁控濺射、離子輔助鍍膜及反應濺射鍍膜等工藝方法於一體的PVD設備。

可以製備單層膜、多層膜、摻雜膜、金屬膜及合金膜、化合物薄膜等。

設備結構及性能參數

真空室為圓柱形、上開蓋、前開門結構；使用材料均為奧氏體不鏽鋼304/321，表面電化學拋光處理，無微觀毛刺，不會藏污納垢。

磁控濺射靶為矩形，沿真空室壁的圓周排列，可調整靶面與工件的距離。

樣品架為圓筒形，樣品裝載數量大；旋轉運動為齒輪驅動式，動力直連輸入，經齒輪驅動樣品台轉盤旋轉，運行平穩，無抖動；密封可靠，故障率低。

加熱系統採用紅外加熱器，對真空環境無污染，加熱均勻；採用具有PID功能的智能溫控儀控制加熱功率。

電氣控制及操作系統工作穩定可靠，操作界面清晰大方，便於操作。

系統安全保護設置齊全，設備啟動後可實行無人運行。

設備重點性能參數

極限真空度	8X10^-5Pa
工作背景真空度	8X10^-4Pa
工作背景真空到達時間	＜40min（空氣濕度低於45％；開門時間＜30min條件下從大氣抽到工作真空度時間）
樣品加熱溫度	室溫~300℃
樣品架公轉速度	3~10r/min連續可調
片內膜層均勻性	<5%
片間膜層均勻性	<5%
磁控靶數量	3靶（可根據用戶工藝擴展靶位）
真空清洗離子靶	1靶
磁控靶規格	180mm X 650mm
靶材規格	120mm X 120mm X 8mm