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半ICP-200 等離子刻蝕設備

ICP 源裝置結構簡單，易於調節，可透過在基片台上施加偏壓，實現對電子密度和離子能量的控制，即：射頻線圈產生等離子體，基片偏壓控制轟擊基片離子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 為無電極放電，沒有電極污染。

所屬分類:

等離子刻蝕設備

服務支持:

13632750017

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  • 產品描述

  • ICP 源裝置結構簡單，易於調節，可透過在基片台上施加偏壓，實現對電子密度和離子能量的控制，即：射頻線圈產生等離子體，基片偏壓控制轟擊基片離子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 為無電極放電，沒有電極污染。
    廣泛應用於半導體製造、微機電系統、光電子器件、平板顯示、納米技術研究、通訊領域等。

    技術服務
    1）維修、維護、翻新、改造升級進口及國產等離子刻蝕機；
    2）承接非標定制的等離子刻蝕機的設計和製造；
    3）承接委託研發的刻蝕工藝。

    設備組成
    半ICP-200蝕刻設備由真空腔、射頻天線、ICP源、偏壓源、真空機組、氣路單元、樣品架及溫度控制、冷水機組、控制系統、配套附件等組成。

    主要配置
    真空室尺寸：φ300mmX250mm；
    極限真空度優於：5X10-5Pa；
    工作背景真空：8×10-4Pa（約40分鐘）；
    有效刻蝕直徑：φ200mm（8寸）；
    主射頻電源：頻率13.56MHz，功率3000w；
    偏壓電源：頻率13.56MHz，功率500w；
    工作氣體：根據工藝要求配置。

     

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