新聞中心
img

公司新聞

行業資訊

真空濺射鍍膜的復興與發展

發布時間:

2023-03-15

微博 微信 朋友圈 QQ QQ空间 复制链接
所謂濺射就是用荷能粒子(通常用惰性氣體的正離子)去轟擊固體(以下稱靶材)表面,從而引起靶材表面上的原子(或分子)從其中逸出的一種現象。 這一現象是格洛夫(Grove)於1842年在實驗研究陰極腐蝕問題時,陰極材料被遷移到真空管壁上而發現的。 利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。 但是,利用這種方法沂積薄膜的初期存在著濺射速率低,成膜速度慢,並且必須在裝置上設置高壓和通人惰性氣體等一系列問題。 因此,發展緩慢險些被淘汰。 只是在化學活性強的貴金屬難熔金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。

所謂濺射就是用荷能粒子(通常用惰性氣體的正離子)去轟擊固體(以下稱靶材)表面,從而引起靶材表面上的原子(或分子)從其中逸出的一種現象。 這一現象是格洛夫(Grove)於1842年在實驗研究陰極腐蝕問題時,陰極材料被遷移到真空管壁上而發現的。 利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。 但是,利用這種方法沂積薄膜的初期存在著濺射速率低,成膜速度慢,並且必須在裝置上設置高壓和通人惰性氣體等一系列問題。 因此,發展緩慢險些被淘汰。 只是在化學活性強的貴金屬難熔金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。
直到20世紀70年代,由於磁控濺射技術的出現,才使濺射鍍膜得到了迅速的發展,開始走人了復興的道路。 這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束增加了電子與氣體分子的碰撞概率,這樣不但降低了加在陰極上的電壓,而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率,減少了電子轟擊基體的棚率,從而降低了它的溫度.即具備了「高速、低溫"的兩大特點。

 

到了80年代,雖然它的出現僅僅十幾年間,它就從實驗室中脫穎而出,真正地進人了工業化大生產的領域。 而且,隨著科學技術的進一步發展,近幾年來在濺射鍍膜領域中又推出了離子束增強濺射,採用寬束強流離子源結合磁場調製,並與常規的二極濺射相結合組成了一種新的濺射模式。 而且,又將中頻交流電源引入到磁控濺封的靶源中。 這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術,不但消除了陽極的消失效應。 而且,也解決了陰極的中毒問題,從而極大地提高了磁控濺射的穩定性。 為化合物薄膜製備的工業化大生產提供了堅實的基礎。 近年來源射鍍膜的復興與發展已經作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜製備技術而活躍在真空鍍膜的技術領域中。

 

免責聲明:本官網部分轉載文章來自於網絡,其版權和文責屬原作者所有,若您是原作者不希望被轉載,請聯繫我們處理(sales@hitsemi.com)。

新聞中心

電子束如何在真空中給材料「鍍」上一層膜？

現代器件的性能，很大程度上取決於薄膜。薄膜可能只有幾十到幾百奈米厚，卻影響著晶片導不導電、鏡片透不透光、器件耐不耐高溫。這層膜是怎麼「鋪」上去的？答案之一，便是高真空電子束蒸發鍍膜。

第27屆CIOE中國光博會收官｜鵬城半導體參展回顧

2026年9月11日，第27屆中國國際光電博覽會（CIOE中國光博會）在深圳國際會展中心順利落幕。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱「鵬城半導體」）攜公司核心裝備（PVD鍍膜設備、CVD鍍膜設備）及配套工藝解決方案亮相展會現場。

第27屆CIOE中國光博會即將啟幕，與鵬城半導體共赴微納製造新程

2026年9月9日至11日，第27屆CIOE中國光博會重磅啟幕！鵬城半導體攜磁控鍍膜、電子束蒸發、HFCVD金剛石沉積等自研真空薄膜裝備及全套工藝解決方案亮相深圳寶安展覽中心，聚焦先進封裝、精密光學、光電子製造，誠邀業界同仁蒞臨洽談、共探產業新機遇！

鵬城半導體展會風采｜第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會

2026年8月26日至28日，為期三天的第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會在深圳國際會展中心（寶安新館）7號館圓滿落幕。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（以下簡稱「鵬城半導體」）攜鑽石散熱晶圓片與核心鍍膜設備（PVD鍍膜設備、CVD鍍膜設備）亮相H20展位。

鵬城半導體邀您相聚第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會，共赴先進封裝產業技術盛會

2026年8月26日至28日，第八屆精密陶瓷產業鏈展覽會將於深圳國際會展中心（寶安新館）7號館盛大啟幕。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱「鵬城半導體」）將亮相本次展會，並參與同期舉辦的第四屆玻璃基板暨先進封裝產業鏈高峰論壇，誠邀廣大客戶、行業同仁蒞臨交流，共探產業技術發展新機遇。