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薄膜沉積工藝和設備

發布時間:

2024-04-17

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薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜,再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行,就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層,而且每一層都具有設計好的線路圖案。 這樣半導體元件和線路就被集成為具有複雜結構的芯片了。

薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜,再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行,就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層,而且每一層都具有設計好的線路圖案。 這樣半導體元件和線路就被集成為具有複雜結構的芯片了。
薄膜沉積主要分為三大類別:
◈ 化學氣相沉積 CVD (Chemical Vapor Deposition)
◈ 物理氣相沉積 PVD (Phicial Vapor Deposition)
◈ 原子層氣相沉積 ALD (Atomic Layers Deposition)



化學氣相沉積CVD通過熱分解和/或氣體化合物的反應在襯底表面形成薄膜。 CVD法可以製作的薄膜層材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物,以及一些金屬化合物、合金等。
化學氣相沉積CVD 設備
◈ PECVD 等離子體增加化學氣相沉積
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備主要用於在潔淨真空環境下進行氮化矽和氧化矽的薄膜生長;採用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術,是沉積高質量的氮化矽、氧化矽等薄膜的理想工藝設備。


PECVD-國產產品領先雙頻技術突破

◈HFCVD熱絲化學氣相沉積設備
研發設計製造了熱絲CVD金剛石設備,分為實驗型設備和生產型設備兩類。
設備主要用於微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發和生產。
可用於力學級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產品的研發生產。
可以製造大尺寸金剛石多晶晶圓片,用於大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。
可用於生產製造防腐耐磨硬質塗層;環保領域污水處理用的金剛石產品。
可用於平面工件的金剛石薄膜製備,也可用於刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質塗層製備。
可用於太陽能薄膜電池的研發與生產。






金剛石薄膜生產線

熱絲CVD金剛石設備

◈ LPCVD低壓化學氣相沉積設備
是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、siO2及Poly硅薄膜)。 可用於科學研究、實踐教學、小型器件製造。

科研型LPCVD

生產型LPCVD

◈ MOCVD金屬有機物化學氣相沉積
可用於GaN、ZnO等的外延生長。
物理氣相沉積PVD工藝
在真空條件下,採用物理方法,將材料源(固體或液體) 表面材料氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子,並通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。
物理氣相沉積不僅可沉積金屬膜、合金膜, 還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。
物理氣相沉積也有多種工藝方法:
真空蒸鍍薄膜真空鍍膜
◈ 濺射鍍膜 PVD-Sputtering
◈ 離子鍍膜 Ion-Coating
物理氣相沉積PVD設備
物理氣相沉積設備包括真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。
真空濺射鍍膜機
是用磁控濺射的方法,製備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質複合膜及其它化學反應膜等;適用於鍍製各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜;可鍍製磁性材料和非磁性材料。











電子束蒸鍍機
是在高真空條件下,採用電子束轟擊材料加熱蒸發的方法,在襯底上鍍製各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍製混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點材料。

高真空電阻熱蒸發鍍膜機
採用電阻熱蒸發技術,它是在高真空條件下,通過加熱材料的方法,在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。 可用於生產和科學實驗,可根據用戶要求專門訂製;可用於材料的物理和化學研究;可用於製備金屬導電電極;可用於有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。

分子束外延設備MBE
可以在某些襯底上實現外延生長工藝,實現分子自組裝、超晶格、量子阱、一維納米線等。 可以進行第二代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。
分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超高的真空環境,是在理想的環境下進行薄膜外延生長,它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司設計製造的分子束外延薄膜生長實驗設備,分實驗型和生產型兩種 ,配置合理,結構簡單,操作方便,技術先進,性能可靠,用途多,實用性強,價格相對較低,可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。 生產型MBE可用於小批量外延片的製備。


 

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